シックスポイントの技術

Symbol of SixPoint

シックスポイントマテリアルズは超臨界アンモニアを用いる化学プロセス、 「NEAT (Near Equilibrium AmmonoThermal)法」技術をコアに、窒化ガリウム単結晶の育成と 窒化バナジウム等の遷移金属窒化物ナノパーティクル合成を 行っています。NEAT法は火山活動で成長する天然水晶と同じ 原理を用いており、すでに我々はNEAT法によりGaNのバルク結晶が 成長できることを実証しています。他の結晶成長法に対するNEAT法の優位性は その高い結晶性と量産性にあります。

NEAT法を用いることで、従来は極めて困難であった、 窒化ガリウムの真のバルク結晶を育成することができ、低欠陥の 窒化ガリウムウエハーを低価格で提供することが可能となります。 弊社では窒化ガリウムの成長に、NEAT法と ハイドライド気相成長法(HVPE法)を組み合わせた、 独自の製造プロセスを使用しております。 GaN基板はハイパワースイッチングデバイス、ハイパワーRFデバイス、 青・緑色レーザダイオード、さらに次世代高輝度発光ダイオード(LED)等 を実現するキーマテリアルです。

また、通常は高温を必要とする遷移金属窒化物の合成をNEAT法により 低温で行うことができます。遷移金属窒化物は次世代の機能性素材として研究されており、 例えば、窒化バナジウムナノパーティクルは次世代、超高エネルギー密度スーパーキャパシターの 電極材料として期待されています。

シックスポイントはNEAT法高圧オートクレーブ製造技術、 NEAT法プロセス技術、窒化ガリウム気相成長技術、結晶加工技術を駆使し、 情報技術とエネルギー技術に欠かせないキーマテリアルを実現いたします。