会社沿革

シックスポイントマテリアルズは2006年9月29日 カリフォルニア大学サンタバーバラ校(UCSB) 材料科学学科 ナイトライドグループからスピンオフして設立されました。 その基礎となる技術は、GaN系LEDとレーザを実用化した 中村修二教授が率いた科学技術振興機構の Exploratory Research for Advanced Technology (ERATO)プログラム 中村不均一結晶プロジェクト におけるアンモノサーマル法GaNバルク結晶成長の研究で培われました。 アンモノサーマル技術はハイドライド気相成長(HVPE)法だけによる 従来のGaN基板よりも高品質のウエハーを低コストで提供でき、 GaN基板を低コスト照明用LEDや超小型プロジェクター用青・緑光源レーザ等、 より多くのデバイス普及させると期待されています。