会社沿革

シックスポイントマテリアルズは2006年9月29日 カリフォルニア大学サンタバーバラ校(UCSB) 材料科学学科 ナイトライドグループからスピンオフして設立されました。 その基礎となる技術は、GaN系LEDとレーザを実用化した中村修二教授が率いた科学技術振興機構の Exploratory Research for Advanced Technology (ERATO)プログラム 中村不均一結晶プロジェクト におけるアンモノサーマル法GaNバルク結晶成長の研究で培われました。 アンモノサーマル技術はハイドライド気相成長(HVPE)法による 従来のGaN基板よりも高品質のウエハーを低コストで提供でき、 パワーデバイス、RFデバイス、超高輝度照明用LEDや産業用超高出力青・緑光源レーザ等 GaN on GaN構造が求められるあらゆるハイパワーデバイスの高性能化、低価格化を 実現します。

経営体制

CEO/CTO
橋本忠朗(はしもとただお), Ph.D

1990年京都大学電気工学第二教室の松波教授の下で 太陽電池用アモルファスSiC薄膜の ハイブリッドプラズマCVD法で1991年に学士号を、 ガリウムリンの光照射有機金属分子線エピタキシー(MOMBE) 法成長により1993年に修士号を取得した。同年、 松下電子工業(現 パナソニック)に入社し、アルミニウムガリウム砒素系レーザと ガリウムナイトライドの有機金属気相成長(MOCVD)法を経験した。 1997年から1999年まで米国スタンフォード大学に客員研究員として 派遣され、GaNのハイドライド気相成長(HVPE)法に携わった。 1999年松下電子工業を退社し、2000年カリフォルニア大学サンタバーバラ校(UCSB) の博士課程に入学。その後、科学技術振興機構のERATO中村不均一結晶プロジェクトに 参画し中村修二教授とSpeck教授の指導の下、アンモノサーマル法GaN成長の 研究を手がけた。2005年に材料科学の博士号を取得し、2007年にはUCSBの Solid State Lighting and Display Centerの Outstanding Research Achievement Awardを授与される。 2006年にシックスポイントマテリアルズを設立。

Tadao Hashimoto

Vice President in Technology
Edward Letts, Ph.D

2001年にUCSBのPetroff教授の下で分子線エピタキシー(MBE) を用いたインジウム砒素系量子ドットの研究で物理科学の学士過程を 卒業。その後、中村教授の下で昇華法によるAlNの バルク結晶成長を研究。2007年に材料科学の博士号を取得した。 シックスポイントの共同設立者。

Edward Letts